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vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）
vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）
非制冷光電探測器
1、PV系列（2-12μm紅外光電探測器）
特點：室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態范圍寬；低成本；可根據客戶要求設計。
描述：PV-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是紅外光電探測器，這些裝置在2～11µm范圍內的任意值可以達到*的性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。
詳細規格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PV-3 | PV-4 | PV-5 | PV-6 | PV-8 |
*特性波長λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W
|
≥8?109 ≥5?109 |
≥1.5?109 ≥1?109 |
≥8?108 ≥5?108 |
≥4?108 ≥2?108 |
≥8?107 ≥4?107 |
響應度 | A/W | ≥1.2 | ≥1.2 | ≥1.2 | ≥1 | ≥0.5 |
響應時間τ | ns | ≤15 ** | ≤15** | ≤15** | ≤12** | ≤7** |
并聯電阻-光學面積 | Ω·cm 2 | ≥0.05 | ≥0.01 | ≥0.003 | ≥0.001 | ≥0.0002 |
光學面積（長 × 寬） 或直徑 (園形) | mm x mm mm | 0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3 | ||||
工作溫度 | K | 300 | ||||
視場, F# | deg | 60, 0.5 | ||||
2、PVI系列（2-12μm紅外光電探測器、光侵入式）
特點：室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態范圍寬；低成本；可根據客戶要求設計。
描述：PVI-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列探測器是紅外光電探測器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標準）或者半球透鏡（可選）進行光浸入。這些裝置在2～11µm范圍內的任意值可以達到*的性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）
詳細規格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PVI-3 | PVI-4 | PVI-5 | PVI-6 | PVI-8 |
*特性波長λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥2E10 ≥1.5E10 |
≥6E9 ≥4E9 |
≥3E9 ≥2E9 |
≥2E9 ≥1E9 |
≥3E9 ≥1.5E8 |
響應度 | A/W | ≥1.2 | ≥1.3 | ≥1.3 | ≥1.2 | ≥1 |
響應時間τ | ns | ≤15** | ≤15** | ≤15** | ≤12** | ≤7** |
并聯電阻-光學面積 | Ω·cm 2 | ≥5 | ≥1 | ≥0.3 | ≥0.1 | ≥0.02 |
光學面積（長×寬） 或直徑 (圓形) | mm x mm mm | 0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3 | ||||
工作溫度 | K | 300 | ||||
視場, F# | deg | 35, 1.65 | ||||
3、PVM系列（2-12μm紅外光電探測器、倍增結構）
特點：室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態范圍寬；低成本；可根據客戶要求設計。
描述：PVM-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器，這些裝置專門用于大范圍內的探測，工作在8～12µm的范圍。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。
詳細規格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PVM-8 | PVM-10.6 |
*特性波長λop | μm | 8 | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥1.2E8 ≥6E7 |
≥3E7 ≥1E7 |
響應度（at λop*） | V·mm/W | ≥0.6 | ≥0.1 |
響應時間τ | ns | ≤7 | ≤1 |
電阻 | Ω | 15-300 | 10-150 |
光學面積(矩形長×寬) | mm x mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2 | |
工作溫度 | K | 300 | |
視場, F# | Deg | 60, 0.5 | |
4、PVMI系列（2-12μm紅外光電探測器、倍增結構、光侵入式）
特點：室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態范圍寬；大面積裝置；低成本；可根據客戶要求設計。
描述：PVMI-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器，使用用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標準）或者半球透鏡（可選）進行光浸入。這些裝置工作在8～12微米的范圍內特別用于大范圍探測。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。
詳細規格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PVMI-8 | PVMI-10.6 |
*特性波長λop | μm | 8 | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥6?108 ≥3?108 |
≥2?108 ≥1?108 |
響應度–at λop | V×mm/W | ≥3 | ≥0.5 |
響應時間τ | ns | ≤7 | ≤1 |
電阻 | Ω | 15-300 | 10-150 |
光學面積 （長 × 寬） | mm× mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | |
工作溫度 | K | 300 | |
視場, F# | deg | 35, 1.65 | |
5、PC系列（2-12μm紅外光電導探測器）
特點：室溫下工作；D*(10.6 µm)達到6*107 cmHz1/2/W；響應時間≤1ns；與快速邏輯元器件*兼容；使用方便；低成本；及時交貨；可根據客戶要求設計。
描述：PC-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列是高速、室溫工作的紅外光電導探測器。這些裝置在2～12微米范圍內的任意值可以達到*的性能。。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe（優化摻雜面和改進的表面處理）來獲得。用小型輕巧耐用的包裝封裝的。每個探測器都提供性能參數。探測器適用于外差探測，高頻輻射探測要求響應時間短并與快速元器件兼容，以及能夠與快速電子學匹配的高頻輻射。可以按客戶所定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。
詳細規格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PC-4 | PC-5 | PC-6 | PC-9 | PC-10.6 |
*特性波λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 |
探測率: at ?λpeak,20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W | >4E9 >2E9 | >2E9 >1E9 | >6E8 >3E8 | >6E9 >2E7 |
>1E7 >4E6 |
響應度-@λop | Vmm/W | >100 | >40 | >6 | >0.4 | >0.05 |
響應時間τ | ns | <1000 | <500 | <200 | <2 | <1 |
1/f噪聲拐點頻率 | kHz | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-20 |
有效面積(長×寬) | mm × mm | 0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;3×3;4×4 | ||||
偏置電流-寬度比* | mA/mm | 1－10 | 1－10 | 1－10 | 1－10 | 1－20 |
薄層電阻系數 | Ω/sqr | 300-1000 | 200-400 | 100-300 | 50-150 | 40-120 |
視場, F#* | deg | 60, 0.5 | ||||
6、PCI系列（2-12μm紅外光電導探測器、光入浸式）
特點：室溫下工作；D*(10.6 µm)達到3*108cmHz1/2/W；響應時間≤1ns；動態范圍寬；與快速邏輯元器件*兼容；使用方便；低成本；及時交貨；可根據客戶要求設計。
描述：PCI-n（n表示*特性波長，單位是微米）系列的電探測器是非冷卻紅外光電探測器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標準）或者半球透鏡（可選）進行光浸入。這些裝置在2～12µm范圍內的任意值可以達到*的性能。他們的高性能和穩定性通過開發的變隙（HgCdZnTe）半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶所定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。
詳細規格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PCI-4 | PCI-5 | PCI-6 | PCI-9 | PCI-10.6 |
*特性波長λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 |
探測率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W |
>1E10 >6E9 |
>7E9 >4E9 |
>2E9 >1E9 |
>3E8 >1E8 |
>2E8 >5E7 |
響應度-@λop | Vmm/W | >600 | >300 | >60 | >3 | >2 |
響應時間τ | ns | <1000 | <500 | <200 | <2 | <1 |
1/f噪聲拐點頻率 | kHz | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-20 |
有效面積(長×寬) | mm×mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2 | ||||
偏置電流-寬度比 | mA /mm | 1－2 | 2－4 | 3－10 | 3－15 | 5－20 |
薄層電阻系數 | Ω/sqr | 300-1000 | 200-400 | 100-300 | 50-150 | 40-120 |
視場, F# | deg | 35,1.65 | ||||
