vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um）

vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um），波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專(zhuān)業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，分制冷型（低溫工作）和非制冷型（室溫工作）兩大類(lèi)，其中包括70多種型號(hào)。VIGO紅外探測(cè)器符合ISO9000標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量體系，被廣泛用于激光預(yù)警、紅外探測(cè)與監(jiān)控、輻射測(cè)溫、激光跟蹤與定位、激光識(shí)別、計(jì)量和光通訊等的研究與開(kāi)發(fā)。

產(chǎn)品時(shí)間：2016-08-25

訪問(wèn)量：2715

產(chǎn)品介紹

TE制冷光電探測(cè)器

1、PV-2TE（2-12μm紅外光電探測(cè)器、熱電制冷）

特點(diǎn)：高性能的在2-12μm范圍，無(wú)須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；無(wú)閃動(dòng)噪聲；使用方便；動(dòng)態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時(shí)交貨；可按客戶(hù)要求設(shè)計(jì)。

描述：PV-2TE-n （n表示*特性波長(zhǎng)，單位是微米）系列光電探測(cè)器是兩級(jí)的TE-制冷式紅外光電探測(cè)器。這些器件在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以?xún)?yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過(guò)zui近開(kāi)發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來(lái)獲得。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器是帶BaF2視窗，并采用改進(jìn)的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶(hù)定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測(cè)器（0.5um-11um）

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PV-2TE-3	PV-2TE-4	PV-2TE-5	PV-2TE-6	PV-2TE-8	PV-2TE-10.6
特性波長(zhǎng)λop*	μm	3	4	5	6	8	10.6
探測(cè)率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥8?10¹⁰ ≥5?10¹⁰	≥1.5?10¹⁰ ≥1?10¹⁰	≥8?10⁹ ≥5?10⁹	≥4?10⁹ ≥2?10⁹	≥8?10⁸ ≥4?10⁸	≥3?10⁸ ≥1?10⁸
響應(yīng)度	A/W	≥1.2	≥1.3	≥1.3	≥1.2	≥1	≥0.7
響應(yīng)時(shí)間τ	ns	≤15**	≤20**	≤20**	≤10**	≤7**	≤3**
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積	Ω·cm 2	≥0.3	≥0.10	≥0.02	≥0.006	≥0.001	≥0.0001
光學(xué)面積（長(zhǎng)×寬）或直徑 (圓形)	mm x mm mm	0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3
工作溫度	K	220-240
視場(chǎng), F#	deg	60, 0.5

2、PVI-2TE（2-12μm紅外光電探測(cè)器、熱電制冷、光侵入式）

描述：PVI-2TE-n （n表示*特性波長(zhǎng)，單位是微米）系列光電探測(cè)器是兩級(jí)的TE-制冷式紅外光電探測(cè)器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標(biāo)準(zhǔn))或者過(guò)半球透鏡（可選）進(jìn)行光照入。這些器件在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以?xún)?yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過(guò)zui近開(kāi)發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來(lái)獲得。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器是帶BaF2視窗，并采用改進(jìn)的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶(hù)定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PVI-2TE-3	PVI-2TE-4	PVI-2TE-5	PVI-2TE-6	PVI-2TE-8	PVI-2TE-10.6
特性波長(zhǎng)λop*	μm	3	4	5	6	8	10.6
探測(cè)率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥2?10¹¹ ≥1.5?10¹⁰	≥6?10¹⁰ ≥4?10¹⁰	≥3?10¹⁰ ≥2?10¹⁰	≥2?10¹⁰ ≥1?10¹⁰	≥5?10⁹ ≥2?10⁹	≥3?10⁹ ≥1?10⁹
響應(yīng)度	A/W	≥1.2	≥1.3	≥1.3	≥1.2	≥1	≥0.7
響應(yīng)時(shí)間τ	ns	≤15**	≤20**	≤20**	≤10**	≤7**	≤3**
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積	Ω·cm 2	≥30	≥10	≥2	≥0.6	≥0.1	≥0.01
光學(xué)面積（長(zhǎng)×寬）或直徑 (圓形)	mm x mm mm	0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3
工作溫度	K	220-240
視場(chǎng), F#	deg	35,1.65

3、PVM-2TE（2-12μm紅外光電探測(cè)器、倍增結(jié)構(gòu)、熱電制冷）

描述：PV-2TE-n （n表示*特性波長(zhǎng)，單位是微米）系列光電探測(cè)器是兩級(jí)的TE-制冷式紅外光電探測(cè)器。這些器件可以?xún)?yōu)化為更長(zhǎng)波長(zhǎng),更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過(guò)zui近開(kāi)發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來(lái)獲得。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器是帶BaF2視窗，并采用改進(jìn)的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PVM-2TE-8	PVM-2TE-10.6-2
特性波長(zhǎng)λop*	µm	8	10.6
探測(cè)率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥6?10⁸ ≥3?10⁸	≥2?10⁸ ≥1?10⁸
響應(yīng)度 – at λop*	V x mm /W	≥2	≥0.5
響應(yīng)時(shí)間τ	ns	≤7	≤3
電阻	Ω	40－300	30－200
光學(xué)面積（長(zhǎng)×寬）	mm x mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
工作溫度*	K	220-240
視場(chǎng), F#*	deg	60, 0.5

4、PVMI-2TE（2-12μm紅外光電探測(cè)器、倍增結(jié)構(gòu)、熱電制冷、光侵入式）

特點(diǎn)：高性能的長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍，無(wú)須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；無(wú)閃動(dòng)噪聲；使用方便；動(dòng)態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時(shí)交貨；可按客戶(hù)要求設(shè)計(jì)。

描述：PVMI-2TE-n （n表示*特性波長(zhǎng)，單位是微米）系列光電探測(cè)器是兩級(jí)的TE-制冷式紅外光電探測(cè)器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標(biāo)準(zhǔn))或者過(guò)半球透鏡（可選）進(jìn)行光照入。這些器件可以?xún)?yōu)化為更長(zhǎng)波長(zhǎng),更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過(guò)zui近開(kāi)發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來(lái)獲得。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器是帶BaF2視窗，并采用改進(jìn)的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶(hù)定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PVMI-2TE-10.6
特性波長(zhǎng)λop*	µm	10.6
探測(cè)率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥2?10⁹ ≥1?10⁹
響應(yīng)度 – at λop	V·mm /W	≥7
響應(yīng)時(shí)間τ	ns	≤3
電阻*	Ω	30-200
光學(xué)面積（長(zhǎng)×寬）	mm x mm	0.1×0.1；0.25×0.25；0.5×0.5；1×1；2×2；
工作溫度*	K	220-240
視場(chǎng), F#*	deg	35，1.65

5、PC-2TE（2-12μm紅外光電探測(cè)器、熱電制冷）

特點(diǎn)：高性能在2-14μm范圍，無(wú)須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；使用方便；動(dòng)態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時(shí)交貨；可按客戶(hù)要求設(shè)計(jì)

描述：PC-2TE-n （n表示*特性波長(zhǎng)，單位是微米）系列光電探測(cè)器是兩級(jí)的TE-制冷式紅外光電探測(cè)器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標(biāo)準(zhǔn))或者過(guò)半球透鏡（可選）進(jìn)行光照入。這些設(shè)備在2～14µm范圍內(nèi)的任意值可以?xún)?yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過(guò)zui近開(kāi)發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來(lái)獲得。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器是帶BaF2視窗，并采用改進(jìn)的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨?？梢园纯蛻?hù)定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PC-2TE-4	PC-2TE-5	PC-2TE-6	PC-2TE-9	PC-2TE-10.6	PC-2TE-12
特性波長(zhǎng)λop*	µm	4	5	6	9	10.6	12
探測(cè)率: at ?λpeak, 20kHz at λop, 20kHz	cmHz^1/2/W	>4E10 >2E10	>2E10 >1E10	>6E9 >3E9	>2E9 >8E8**	>5E8 >2.5E8**	>4E8 >1.5E8**
響應(yīng)度-atλop1x1 mm	V/W	>1000	>500	>70	>5	>3	>1
響應(yīng)時(shí)間τ	ns	<4000	<2000	<1000	<20	<10	<2
1/f噪聲拐點(diǎn)頻率	kHz	1-10	1-10	1-10	1-10	1-20	1-20
有效面積, (長(zhǎng) × 寬)	mm × mm	0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
偏置電流-寬度比*	mA/mm	1－2	2－4	4－8	4－10	5－15	5－15
薄層電阻系數(shù)	Ω/sqr	600-1500	300-500	200-400	80-200	50-150	50-150
視場(chǎng), F#	deg	60, 0.5

6、PCI-2TE（2-12μm紅外光電探測(cè)器、熱電制冷、光侵入式）

特點(diǎn)：高性能在2-14μm范圍，無(wú)須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；使用方便；與快速元器件*兼容；動(dòng)態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時(shí)交貨；可按客戶(hù)要求設(shè)計(jì)

描述：PCI-2TE-n （n表示*特性波長(zhǎng)，單位是微米）系列光電探測(cè)器是兩級(jí)的TE-制冷式紅外光電探測(cè)器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標(biāo)準(zhǔn))或者過(guò)半球透鏡（可選）進(jìn)行光照入。這些設(shè)備在2～14µm范圍內(nèi)的任意值可以?xún)?yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過(guò)zui近開(kāi)發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來(lái)獲得。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測(cè)器是帶BaF2視窗，并采用改進(jìn)的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶(hù)定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	PCI-2TE-4	PCI-2TE-5	PCI-2TE-6	PCI-2TE-9		PCI-2TE-10.6	PCI-2TE-12
*特性波長(zhǎng)λop	µm	4	5	6	9		10.6	12
探測(cè)率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz	cmHz^1/2/W	>1E11 >5E10	>6E10 >3E10	>2E10 >1E10	>9E9 >4E9		>5E9 >2.5E9	>4E9 >1.5E9
響應(yīng)度- atλop1x1 mm	Vmm/W	>6000	>3000	>600	>40		>25	>15
響應(yīng)時(shí)間τ	ns	<4000	<2000	<1000	<20		<10	<2
1/f噪聲拐點(diǎn)頻率	kHz	1-10	1-10	1-10	1-10		1-20	1-20
有效面積, (長(zhǎng)×寬)	mm×mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
偏置電流-寬度比*	mA/mm	0.05－0.3	0.1－0.5	0.3－0.8		2－5	5－20	5－20
薄層電阻系數(shù)	Ω/sqr	600-1500	300-500	200-400		50-200	50-150	50-150
視場(chǎng), F#	deg	35, 1.65

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請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果（填寫(xiě)阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7

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